作者：苏辉 张荣 谢自力 刘斌 李毅 傅德颐 赵红...金属有机化学气相沉积光致荧光谱原子力显微镜红橙光
摘要：采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱（MQW）结构,高分辨X射线衍射（HRXRD）ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28%。比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度。室温下光致荧光（PL）研究发现该量子阱发射可见的红橙光,峰位波长在610 nm附近。变温PL（15～300 K）进一步揭示量子阱在低温下有两个发光机制,对应的发射峰波长分别为538 nm和610 nm。由于In分凝和载流子的局域化导致的载流子动力改变,使得量子阱PL发光峰值随温度增加呈明显的＂S＂变化趋势。
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