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一种低功耗无电容型LDO的设计

作者:王晋雄 原义栋 张海峰密勒补偿限流保护省电模式低功耗

摘要:提出了一种片上集成的低功耗无电容型LDO(low drop out)电路。该电路采用折叠型eascode运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;并在电路中加入了一种新的限流保护结构以保证输出电流过大时对LDO的输出进行保护。此外,在电路中加入了省电模式,可在保持LDO输出1.8V情况下节省大于70%的功耗。该设计采用HHNEC0.13μmCMOS工艺,仿真结果显示:在2.5~5.5V电源供电、各个工艺角及温度变化条件下,LDO输出的线性调整率小于2.3mV/V,负载调整率小于14μV/mA,温度系数小于27×10^-6/℃;在正常工作模式下,整个LDO消耗85μA电流;在省电模式下仅消耗23斗A电流。

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半导体技术

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