作者：柳伟达 周旗钢 何自强减压化学气相沉淀锗硅外延应变薄膜表面粗糙度生长速率
摘要：利用应用材料公司外延设备,在Si（001）衬底上,通过RPCVD方式生长出完全应变、无位错的SiGe外延层。通过X射线衍射和原子力显微镜测试技术,得到了外延层Ge摩尔分数、外延层厚度、生长速率以及表面粗糙度等参数,研究了运用RPCVD方法制备的应变SiGe外延层的生长特性以及薄膜特性。结果表明,在660℃所生长的薄膜,其XRD图像均出现了Pendelossung条纹,表明薄膜质量较好。Ge摩尔分数高达16.5%。薄膜表面粗糙度RMS在0.3~0.6 nm。
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