作者：张启华 高强 李明 牛崇实 简维廷透射电子显微镜样品制备技术聚焦离子束动态随机存储器电容横向切割
摘要：对于深沟槽DRAM电容这类纵向深度深（超过5μm）但是平面尺寸又很小（小于0．2μm×0．2μm）的结构来说，传统的TEM制样方法，无法满足其细微结构全面观测的需求，此外传统的方法制样也比较费时，成功率也比较低。介绍了一种“FIB横向切割”技术，适用于对这类结构的观测。它与传统FIB制样方法的主要区别在于，切割方向由纵向切割改为横向切割。用这种方法制备的TEM样品，可以完整地观测同一个深沟槽DRAM电容结构的所有细微结构。制样过程比较简单、速度快、成功率高。以一个实例分析、比较了传统制样方法和新的制样方法。突显了“FIB横向切割”技术的优点。
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