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电磁脉冲对GaAs LNA损伤及其分析

作者:李用兵 王海龙低噪声放大器电磁脉冲损伤试验软损伤机理

摘要:介绍了电磁脉冲对GaAs低噪声放大器(LNA)损伤机理和损伤模式。利用特定电磁脉冲信号对其进行损伤,通过开帽内部目检、扫描电镜等失效手段和方法,针对该低噪声放大器在电磁脉冲实验中损伤机理及损伤模式进行了分析与讨论。实验表明,GaAs低噪声放大器的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入损伤退化,主要失效部位表现为有源器件,指出了对GaAs器件加固的一些措施,对器件设计者和使用者具有一定的参考意义。

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半导体技术

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