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200mm高阻厚层Si外延技术研究

作者:袁肇耿 魏毓峰外延高阻厚层自掺杂均匀性

摘要:针对国内市场对200mm Si外延产品需求持续增长,其中高阻厚层产品需求量最大的情况,研制开发了200mm高阻厚层Si外延片,解决了规模生产中工艺参数控制的稳定性、均匀性和一致性。介绍了一种实用工艺方法,即在常压外延设备上,对200mm高阻厚层Si外延片的生长进行工艺开发,考虑了该产品生产过程中影响工艺参数的主要因素,在产品结晶质量、自掺杂控制、均匀性控制、背面控制等方面进行了专题研究,得到了良好结果,已应用于规模生产。

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半导体技术

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