作者：程东方 吕洪涛 张铮栋高压横向扩散金属氧化物半导体优化反向传播神经网络
摘要：利用一个3×5×1的3层BP神经网络结构对高压LDMOS的器件性能进行优化设计。将3个重要的工艺参数n-drift层注入剂量、p—top层注入剂量和p-top层长度作为网络的输入，LDMOS击穿电压作为网络的输出，利用训练得到的网络对工艺参数进行优化。结果表明，训练样本和测试样本的网络输出值和通过TCAD工具得到的测量值均非常接近，得到的最优工艺参数非常理想。
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