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超低压差线性稳压器的带隙基准电路设计

作者:余华; 邹雪城; 陈朝阳带隙电压基准超低压差温度系数电源抑制比

摘要:设计了一种采用电流反馈及电阻分压技术,输出可调的,用于单片集成超低压差的CMOS线性稳压器的高性能带隙基准电压电路。它可产生1~1.2217V多个电压基准:当温度从-40~125℃变化时,温度系数为23×10^-6/K:具有较高的电源抑制比(PSRR),其值为78dB。输入电压在2.5~6v变化时,基准电压的变化范围为1.221685±0.055mV,该电路还可为其它电路模块提供PTAT电流。

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半导体技术

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