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晶体中光电子涨落的影响因素

作者:李新政; 郑滨光电子光吸收激发热激发电子陷阱

摘要:针对晶体中光电子涨落的特点,分析了光吸收激发和热激发中影响光电子产生的因素。在光电子的衰减阶段,不同的电了陷阱所起的作用不同,浅电子陷阱由于延长了光电了在导带的弛豫时间,使光电了的衰减变缓;而深电子陷阱由于对光电了形成强束缚或作为复合中心加速了光电子的衰减。

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半导体技术

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