作者：刘芳; 张玉明; 张义门; 郭辉离子注入技术欧姆接触激活率退火
摘要：由于杂质在SiC中的扩散系数很低,所以制备SiC器件欧姆接触所需要的高掺杂区必须采用离子注入技术.本文采用蒙特卡罗模拟软件TRIM模拟得出不同能量不同剂量六次注入杂质的纵向分布图,根据大量文献数据和国内现有的制备水平,提出制备n型SiC欧姆接触最优的工艺流程.
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《半导体技术》（CN：13-1109/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《半导体技术》以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”。荣获中国科技论文统计用刊，美国ProQuest数据库收录期刊。
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