作者：谭春华; 范广涵; 周天明; 李述体; 黄琨; ...x双晶衍射mocvd量子阱光荧光
摘要：低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP／GaInP多量子阱结构，运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响。测试结果表明垒层掺Si使量子阱的生长速度增加，掺Si量子阱的光荧光强度比未掺Si量子阱的光荧光强度增强了13倍。
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《半导体技术》（CN：13-1109/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《半导体技术》以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”。荣获中国科技论文统计用刊，美国ProQuest数据库收录期刊。
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