作者：黄雒光; 赵丽华; 刘英坤; 张鸿亮; 潘茹硅微波脉冲功率晶体管内匹配
摘要：研究并制造了2．6～2．8GHz输出功率100W、脉宽1μs、占空比25％、增益7dB、效率35％的硅微波脉冲功率晶体管。本文介绍了该器件的设计考虑和采用的工艺技术，给出了研制结果。
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《半导体技术》（CN：13-1109/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《半导体技术》以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”。荣获中国科技论文统计用刊，美国ProQuest数据库收录期刊。
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