作者：夏宇; 王纪民; 蒋志虚拟制造低压功率vdmos器件结构参数物理参数电性能参数电学特性优化设计
摘要：采用虚拟制造方法设计了低压功率VDMOS器件,并对其进行结构参数、物理参数和电性能参数的模拟测试,确定了器件的物理结构.通过对这些参数和电学特性的分析,进一步优化设计,最终获得了满意的设计参数和性能.
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《半导体技术》（CN：13-1109/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《半导体技术》以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”。荣获中国科技论文统计用刊，美国ProQuest数据库收录期刊。
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