作者:蒋科坚; 许真知大直径单晶直拉法真空稳定性气流控制半导体硅单晶
摘要:随着国内大直径直拉单晶技术的发展,一些原先在小直径单晶中并未引起重视的问题,对大直径单晶生长的负面影响日渐显现.大直径单晶对其生长环境有很高的稳定性要求.本文就其中真空度的稳定和气流控制的优化两个方面,提出了改进方案,以提高大直径单晶生长的成晶率和内在品质.
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
《半导体技术》(CN:13-1109/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《半导体技术》以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”。荣获中国科技论文统计用刊,美国ProQuest数据库收录期刊。
部级期刊
人气 14025 评论 42
北大期刊、统计源期刊
人气 11777 评论 51
省级期刊
人气 1931 评论 24