作者：常永明; 郝跃氮化铟各向异性负微分迁移率耿氏二极管
摘要：由于InN材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利用Farahmand Modified Caughey Thomas(FMCT)迁移率模型描述了InN材料在不同晶向上的电子输运特性,利用文中提出的参数提取方法分别提取了InN在不同晶向上的FMCT模型参数。为了将InN材料的各向异性特性应用于耿氏(Gunn)二极管的制作,使用Silvaco-atlas半导体仿真软件对纤锌矿InN n^+nn^+和n^+n^-nn^+两种结构的耿氏二极管进行数值仿真,对沿两个晶向上制作的InN耿氏二极管的输出特性进行了比较。结果表明:InN耿氏二极管沿Γ-A方向比沿Γ-M方向获得的频率和转化效率更高。InN材料沿Γ-A方向更适合制作耿氏二极管,该研究为制作InN耿氏二极管提供了参考。
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