作者：陶利友 张燕 刘福浩 李向阳紫外探测器光生电压algan串联反向饱和电流密度
摘要：对采用MOCVD生长的AlGaN pin结构上制备的背照日盲型3×3AlGaN串联紫外探测器进行了光电性能的研究。室温下单元探测器的峰值响应在278nm为0．03A／W。串联器件的正向开启电压随器件个数增加而增大，串联特性使得其暗电流较小，光生电压随器件个数的增加呈线性变化，串联器件在氙灯照射下能达到近15V的光生电压。文中还对I-V，测试采样中存在的零点漂移做了分析，试给出从实验结果计算反向饱和电流密度的方法。
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