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低驱动电压X切铌酸锂长周期波导光栅

作者:李俊慧 陈开鑫电光效应铌酸锂长周期波导光栅

摘要:研究了在X切铌酸锂基底上制作沿Y方向传输光的电光长周期波导光栅的理论模型。利用有效折射率法和射线法进行理论分析获取波导的各项参数。针对所建议的波导光栅结构,将调谐电极置于波导两侧,无需跨过波导就可获得最大的电光调制。该结构的电极间距小(小于10μm),使得在较小的驱动电压(1.6V)下就可以实现阻带幅度高达28dB的长周期波导光栅。对该光栅模型的研究为开发低驱动电压的高速电光长周期光栅提供了理论依据。

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半导体光电

《半导体光电》(CN:50-1092/TN)是一本有较高学术价值的大型双月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《半导体光电》刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术,以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告,介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件,报道国内外该领域的研究和发展方向。

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