作者：徐庆君 庄申栋 张士英 薛冬 陈庆朋反常色散正常色散mie散射光学截面sic
摘要：基于Mie散射理论，对不同基质中碳化硅材料在反常、正常色散区内的光学截面进行了对比计算与分析。研究表明基质折射率对不同色散区中的光学截面所起的作用完全不同，揭示了入射波长、基质折射率对光学截面影响的内在规律。研究结果为该材料光学特性方面的研究和应用提供了理论参考。
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《半导体光电》（CN：50-1092/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《半导体光电》刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。
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