作者：肖雪芳边缘击穿雪崩光电二极管多级台阶
摘要：平面型雪崩光电二极管（APD）在结弯曲处具有更高的电场，易导致结边缘的提前击穿。运用FEMLAB软件对多级台阶结构的平面型InP／InGaAsAPD的电场分布进行了二维有限元模拟，在表面电荷密度为5×10^11cm^-2时分析了台阶级数、台阶高度等因素对边缘提前击穿特性的抑制程度。通过理论研究对平面InP／InGaAsAPD进行了优化。
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《半导体光电》（CN：50-1092/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《半导体光电》刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。
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