作者：李智伟 陈浩 宋华冰 余洲 杨治美 高艳丽 ...微电化学氧化还原反应硅纳米线阵列多孔硅光致发光光谱扫描电镜发光机理
摘要：用微电化学催化腐蚀法制备了硅纳米线阵列，通过扫描电镜（SEM）观察了样品的表面形貌。用荧光光谱仪测量了有序硅纳米线阵列的光致发光特性，发现当激发波长增加时，有序硅纳米线阵列的光致发光峰位单调红移，发光强度也单调增强。对比多孔硅的发光机理和现有实验条件，对有序硅纳米线阵列可能的发光机理进行了讨论。
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《半导体光电》（CN：50-1092/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《半导体光电》刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。
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