作者：马楠 邓军 牟明威 史衍丽 沈光地多量子阱红外光致荧光谱
摘要：结合薛定谔方程和泊松方程，模拟计算得到GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料能带图，并对该材料进行光致荧光谱（PL）测量。结合理论计算，由材料吸收峰位置得到势垒高度以及势阱基态位置，采用传输矩阵法得到价带与导带基态能量，并由此推算出相应的红外探测响应波长。以傅里叶变换红外光谱仪对GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器器件进行光谱测量，测量结果表明，所采用的计算方法得出的理论结果与器件的光电流谱吻合较好，利用光荧光谱对外延材料进行测量，可以在器件工艺前，快速确定器件的探测波长，从而更加有效地开展器件的研究。
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