作者：花吉珍 陈宏泰 杨红伟 陈国鹰半导体激光器隧穿结塑料封装脉冲宽度抗冲击
摘要：报道了一种新型塑料封装隧道结脉冲半导体激光器。采用MOCVD生长了隧道结串联双叠层激光器材料。激光器芯片为标准宽发射区结构。采用塑封结构，在脉冲宽度小于500ns，重复频率小于8kHz工作条件下，其输出光功率斜率效率达到1．7W／A，是标准单芯片的1．7倍。采用塑封结构，克服了金属封装玻璃光窗在受冲击时易碎的弱点，其抗冲击达到20kg以上，且封装成本低廉。
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《半导体光电》（CN：50-1092/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《半导体光电》刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。
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