作者：吴文光; 范广涵; 沈为民; 金尚忠; 徐时清垂直腔面发射半导体激光器多量子阱阈值电流密度
摘要：采用光增益与载流子浓度的对数关系，考虑到非辐射复合的影响，从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数与器件参数（腔长和端面反射率）之间的关系，为改善VCSEL阈值特性和优化器件结构提供了理论依据。
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《半导体光电》（CN：50-1092/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《半导体光电》刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。
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