作者：黄烈云; 吴琼瑶; 赵文伯; 叶嗣荣; 向勇军...紫外探测器algan日盲刻蚀欧姆接触
摘要：采用MOCVD方法在双面抛光的（0001）蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaN PIN紫外探测器。详细介绍了该器件的结构设计和制作工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明：器件的正向开启电压约为4.5 V,反向击穿电压大于20V;常温下（300 K）,该器件在3 V反向偏压下的暗电流约为50 pA,在零偏压下270 nm处峰值响应度达到0.12 A/W,长波截止波长小于285 nm。
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