作者：李玉国; 孙钦军; 曹玉萍; 王强; 王建波; ...离子注入电化学腐蚀蓝光发射发光中心
摘要：研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV，剂量为2×10^16cm^-2的碳离子注入后的外延单晶硅片，在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提，并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大。不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位。
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《半导体光电》（CN：50-1092/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《半导体光电》刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。
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