作者：魏榕山; 邓宁; 王民生; 张爽; 陈培毅量子点量子点红外探测器暗电流密度响应度
摘要：采用UHV／CVD方法在Si（100）衬底上生长了多层的自组织Ge量子点，用AFM对量子点的形貌和尺寸分布进行了研究。材料的低温（10K）PL谱测试表明，由于量子点的三维限制作用，跟体材料的Ge相比，Ge量子点的NP峰表现出87meV的蓝移。在此基础上，流水制作了p-i-n结构的量子点红外探测器。室温下，测得其在1．31μm和1．55μm的响应度分别为0．043mA／W和0．0014mA／W，覆盖了体Si探测器所不能达到的响应范围。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
