作者：殷景志; 时宝; 李龙海; 王一丁; 杜国同; ...ingaas探测器探测率auger复合
摘要：通过对InGaAs材料的俄歇（Auger）复合机制的理论分析，给出了少子寿命与材料组分、温度和载流子浓度的关系，从而得到材料参数等对InGaAs探测器的探测率影响的结果，优化材料参数和器件结构可抑制Auger复合机制，提高InGaAs探测器的探测率。
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《半导体光电》（CN：50-1092/TN）是一本有较高学术价值的大型双月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《半导体光电》刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。
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