作者：谢文青; 徐运华; 张松; 方家熊读出电路tdicmosbbdctia
摘要：报道一种能够实现时间延迟积分(TDI)功能的单元CMOS读出电路．具有戽链器件(BBD)结构，其输入级为电容反馈互阻抗放大器(CTIA)。介绍了读出电路的设计．并对该电路进行了功能仿真和流片验证。该芯片采用0．6μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺。测试结果表明，在常温下，本电路能够实现9级TDI功能，电荷处理能力为2．5pC，工作电压5V。最后讨论了电路存在的一些问题以及下一步努力的方向。
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