作者：刘道敏 荣维国 张远国霍山石斛工厂化繁育组培
摘要：以野生霍山石斛种子为外植体，对霍山石斛组培快繁技术进行研究，旨在为霍山石斛规模化、标准化、产业化生产提供依据。结果表明，种子萌发与原球茎诱导最适培养基为MS＋6-BA0．1mg／L＋NAA0．5mg／L＋20％土豆汁；原球茎继代增殖与分化最适培养基为1／2MS＋6-BA0．5mg／L＋NAA0．1mg／L＋20％土豆汁；丛生芽增殖最适培养基为1／2MS＋6-BA0．5mg／L＋NAA0．5mg／L＋20％土豆汁；壮苗生根最适培养基为1／2MS＋NAA0．5mg／L＋20％土豆汁；炼苗最适温度、光照及时间：温度（24±2）℃，光照6000Lx，炼苗时间10d，后3d将瓶盖打开；试管苗移栽最适基质配方：草碳根＋碎木屑＋碎石（1：1：1）。
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