作者：杜鹏; 张军芳; 李辉; 杜晶晶; 薛俊明; 李...喇叭口隧穿结微晶n层
摘要：非晶硅/非晶硅锗叠层电池制备中非晶硅锗子电池本征层采用“喇叭口”结构。通过优化各层掺杂浓度,实现叠层电池光学带隙从1.95~1.5 e V之间的梯次平滑过渡(其中P层窗口层带隙1.95 e V,a-Si∶H 1.7 e V,a-Si Ge∶H 1.5 e V)。探讨了NP隧穿结对叠层电池开路电压(Voc)和填充因子(FF)的影响,制备出FF为0.739的a-Si∶H/a-Si Ge∶H叠层电池。调整叠层电池中子电池本征层厚度,制备出效率为9.06%的a-Si∶H/a-Si Ge∶H叠层电池(未加减反射层)。
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