作者：季振国; 陈琛; 王超; ; 赵丽娜透明导电氧化物薄膜p型制备表征镓锡光学禁带宽度空穴浓度x射线衍射金红石结构热处理温度磁控溅射sno2霍尔效应温度过高氧化温度热氧化合金靶测试透过率可见光吸收谱子类型
摘要：本文通过磁控溅射锡镓合金靶(Ga/Sn=0.2)及热氧化的方法,成功地制备了p型透明导电的锡镓氧化物(TGO)薄膜.X射线衍射(XRD)测试结果表明,TGO薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试表明TGO薄膜在可见光范围内透过率可达到85%以上,其光学禁带宽度Eg约3.8 eV.霍尔效应测试结果表明,TGO薄膜的载流子类型及其浓度与热处理温度密切相关.热氧化温度过高或过低均不利于空穴浓度.当热氧化温度处于(600～700) ℃之间时,可以获得p型透明导电的TGO薄膜,最高空穴浓度高达8.84×1018 cm-3.
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
