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氯化三乙基锡对体外培养大鼠C6脑胶质瘤细胞增殖和凋亡的影响

作者:张适 张悦 李志超三乙基锡化合物mtt法c6脑胶质瘤增殖凋亡

摘要:目的探讨氯化三乙基锡(TETC)对体外培养大鼠C6脑胶质瘤细胞增殖和凋亡的影响。方法采用MTT法检测0.5,1.0和2.0μmol/L TETC对体外培养大鼠C6脑胶质瘤细胞作用24 h和48 h后细胞增殖的影响、HE染色细胞形态学观察0.5,1.0和2.0μmol/L TETC对体外培养大鼠C6脑胶质瘤细胞作用48 h后细胞增殖和形态学变化。采用透射电镜观察0.5,1.0和2.0μmol/LTETC作用C6细胞48 h后的超微形态学变化。采用荧光原位末端标记方法检测细胞凋亡。结果MTT法及HE染色细胞形态学观察均显示0.5,1.0和2.0μmol/L TETC在体外均可抑制C6细胞增殖,C6细胞增殖率存在着剂量依赖性和时间依赖性降低趋势;HE染色和透射电镜可观察到C6细胞凋亡的形态学变化。荧光原位末端标记方法检测到细胞凋亡率存在剂量依赖性上升趋势。结论TETC可抑制体外培养大鼠C6胶质瘤细胞增殖,其机制可能主要与C6细胞凋亡有关。

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