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汉字刺激正常儿童认知电位的研究

作者:董选; 何晓红; 杨玉霞; 孟平; 付亚平认知电位p300潜伏期rp刺激正常儿童脑电图儿童认知汉字结论

摘要:目的:探讨8岁组正常儿童汉字刺激产生认知电位的特征.方法:对53名正常儿童采用加拿大StellateSvstems 32道数字化无纸脑电图仪,并用汉字、韩字,汉字打乱形式三种刺激模块检测(包括常规及快流方法)刺激信号同步触发,脑电图(EEG)同步记录,从EEG中提取认知电位(RP),事件相关电位(P300)进行分析.结果:RP及P300潜伏期各不相同,RP的潜伏期较P300潜伏期早;汉字潜伏期最短,对照组汉字打乱形式较韩字潜伏期长;常规及快流二种刺激方法比较无显著性差异;汉字刺激在枕前后部记录认知电位最大.结论:汉字刺激RP及P300将有助于评估儿童认知功能的发展.

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中国临床心理学

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