作者：赵辉cdsecds纳米线半导体核壳结构光致发光
摘要：Cd Se、Cd S是重要的II-VI族纳米半导体化合物,具有较大的禁带宽度和激子束缚能,以宽带隙半导体Cd S为壳层包覆窄带隙半导体Cd Se核层,使表面缺陷减少,从而提高核层的荧光量子产率。文章对Cd Se/Cd S核/壳纳米线进行了制备,并探寻了Cd Se/Cd S核/壳纳米线的光学性质,为纳米材料在光学、光子学方面的应用奠定了基础。
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