作者：韩萌; 罗群霞; 张渊pecvd工艺参数氮化硅膜太阳能电池
摘要：氮化硅膜是对提高太阳能电池光电转换效率有重要作用的减反射膜。文章介绍了氮化硅膜的钝化作用和减反射作用，陈述了PECVD生长的氮化硅薄膜的基本性质，以156mm×156mm型号的多晶硅太阳电池片为例，结合实际测量数据，分析了在淀积过程中温度、硅烷氨气流量比和射频功率等工艺参数对氮化硅薄膜的生长及其性质的影响。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《中国高新技术企业》是一本有较高学术价值的旬刊，自创刊以来，读者遍布全国主要科研机构、政府、高等院校、高新园区、高新企业、公共场所及其他企事业单位。选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度，颇受业界和广大读者的关注和好评。 《中国高新技术企业》现已更名为《中国高新科技》。
省级期刊
人气 803900 评论 68
北大期刊、统计源期刊
人气 540670 评论 58
人气 499756 评论 74
部级期刊
人气 495200 评论 71
