作者：韩萌; 刘晟非平衡载流子半导体硅片薄层电阻测试条件
摘要：对半导体硅片进行薄层电阻测试的过程中,当探针接触半导体材料表面,将向表面材料中注入载流子,这将影响薄层电阻测量数据的误差,文章分析了注入的非平衡载流子对测试精度的影响,讨论了注入造成影响的原因,得出测试过程中为减小注入的影响而采用的合适的测试条件。
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