作者:万军令; 姜学智; 徐宏磊; 董泸锴; 方政; ...电涌电涌保护器保护模式mov构成mov的指标
摘要:随着微电子技术快速发展,半导体器件集成化不断提高,元件间距在减小,半导体厚度在变薄。电子设备受到瞬态过电压破坏的可能性越来越大。外部电涌和内部电涌过电压成为电子设备损坏和工作中断的主要因素。文章论述了电涌的产生及电涌保护。
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
《中国高新技术企业》是一本有较高学术价值的旬刊,自创刊以来,读者遍布全国主要科研机构、政府、高等院校、高新园区、高新企业、公共场所及其他企事业单位。选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度,颇受业界和广大读者的关注和好评。 《中国高新技术企业》现已更名为《中国高新科技》。
省级期刊
人气 803128 评论 68
北大期刊、统计源期刊
人气 540069 评论 58
人气 499161 评论 74
部级期刊
人气 494728 评论 71