作者：王来东cmos低噪声放大器匹配网络栅漏电容电容交叉耦合
摘要：随着便携式移动通讯的发展，射频集成电路有了更广泛的应用。CMOS工艺的不断进步，使其在射频领域的应用有实用化的价值．其中全CMOS低噪声放大器的实现有助于无线通讯的高度集成。本文讨论了几种CMOS低噪声放大器的设计方法，分析了其噪声影响及相关制约因素，并展望了CMOS技术在低噪声放大器中的应用前景。
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