作者：田巧玉; 汪道辉双频带colpitts模式交叉耦合对模式压控振荡器
摘要：基于0.18-μm CMOS工艺,采用电流源开关技术设计实现了一种双频压控振荡器（VCO）.低频带和高频带振荡信号分别采用Colpitts模式和交叉耦合对（CCP）模式实现,不同于传统的采用谐振回路开关技术的双频VCO,所提出的VCO合成了Colpitts模块和CCP模块,避免了谐振回路额外的损耗,降低了电路功耗。设计实现的VCO芯片面积为0.97×0.81 mm^2,测试结果表明当VCO工作于Colpitts模式下时,功耗为7.2 mW,在5.4 GHz振荡频率下,相位噪声为-118.1 dBc/Hz;工作于CCP模式下时,功耗为9.1 mW,在20.4 GHz振荡频率下,相位噪声为-106.1 dBc/Hz。
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