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适用于中频采样的CMOS自举采样开关

作者:钱宏文 朱燕君 季惠才 陈珍海模数转换器中频采样栅压自举开关mos开关

摘要:分析了影响CMOS采样开关性能的非理想因素,针对中频采样A/D转换器对采样开关特性的要求,改进得到了一种新型的CMOS自举采样开关。较之传统栅压自举开关,此新型MOS采样开关能够消除由于阈值电压随输入信号变化所产生的非线性。基于0.18μm标准CMOS数模混合工艺对电路进行了模拟,模拟结果显示,在输入信号为2.39MHz正弦波,峰峰值为2V,采样时钟频率为100MHz时,开关的无杂散动态范围达到116.7dB,较之传统自举采样开关提高了15dB左右。试验结果表明该栅增压电路非常适用于高速中频采样。

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中国电子科学研究院学报

《中国电子科学研究院学报》(CN:11-5401/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《中国电子科学研究院学报》主要发表电子信息系统研发和综合集成领域内的技术和学术研究论文。聘请行业内工程院院士等资深专家以及近年来在此领域内卓有成就的中年专家组成编委会。办刊宗旨:注重研究成果,提高理论水平。

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