作者：王雄 金亮亮存储磁记录纳米管存储纳米存储
摘要：结合硬盘、固态存储和纳米存储技术的发展状况,回顾了磁存储技术发展历程,着重介绍了各硬盘厂家应对存储密度提升瓶颈而开发的HAMR、BPM、SWR、DTR等新兴磁记录技术,分析了热点固态存储缺陷点和存储密度提升前景,同时对当前存储领域研究热点的纳米管存储原理和前景进行了阐述,最后就存储技术现状及趋势提出了未来几年内存储领域的格局和纳米存储的发展重点,期望能为存储系统及信息系统技术规划提供参考。
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《中国电子科学研究院学报》（CN：11-5401/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《中国电子科学研究院学报》主要发表电子信息系统研发和综合集成领域内的技术和学术研究论文。聘请行业内工程院院士等资深专家以及近年来在此领域内卓有成就的中年专家组成编委会。办刊宗旨：注重研究成果，提高理论水平。
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