作者：贺翔 曹群生硅通孔三维集成时域物理尺寸电导率信号传输性能
摘要：主要针对三维集成封装中的关键技术之一的硅通孔互连技术进行电性能研究。首先简要介绍了硅通孔互连技术的背景，利用三维全波电磁仿真软件建立地．信号一地TSV模型，对其TDR阻抗和时域TDR／TDT信号进行分析，同时仿真分析了TSV互连线及介质基板所使用的材料和TSV半径、高度、绝缘层厚度等物理尺寸对三维封装中TSV信号传输性能的影响。研究结果可为工程设计提供有力的技术参考，有效地用于改善互连网络的S21，提高三维集成电路系统的性能。
注：因版权方要求，不能公开全文，如需全文，请咨询杂志社
《中国电子科学研究院学报》（CN：11-5401/TN）是一本有较高学术价值的大型月刊，自创刊以来，选题新奇而不失报道广度，服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《中国电子科学研究院学报》主要发表电子信息系统研发和综合集成领域内的技术和学术研究论文。聘请行业内工程院院士等资深专家以及近年来在此领域内卓有成就的中年专家组成编委会。办刊宗旨：注重研究成果，提高理论水平。
杂志详情
