作者:柏松 陈刚 吴鹏 李哲洋 郑惟彬 钱峰sicmesfet微波功率宽带mmic
摘要:利用本实验室生长的4H—SiC外延材料开展了SiCMESFET和MMIC的工艺技术研究。研制的SiCMESFET采用栅场板结构,显示出优异的脉冲功率特性,20mm栅宽器件在2GHz脉冲输出功率达100W。将四个20mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率合成,合成器件的脉冲功率超过320W,增益8.6dB。在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC,在2~4GHz频带内小信号增益大于lOdB,脉冲输出功率最大超过10W。
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
《中国电子科学研究院学报》(CN:11-5401/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《中国电子科学研究院学报》主要发表电子信息系统研发和综合集成领域内的技术和学术研究论文。聘请行业内工程院院士等资深专家以及近年来在此领域内卓有成就的中年专家组成编委会。办刊宗旨:注重研究成果,提高理论水平。
杂志详情