作者：刘春香 杨洪星 吕菲 赵权抛光锗晶片机理分析
摘要：在不同条件下（不同助剂比例和不同研磨液浓度），通过对锗化学机械抛光速率变化的研究，探讨了锗片在SiO2胶体磨料与H2O2混合液加抛光助剂条件下的化学机械抛光过程，分析了助剂比例对抛光速率的影响。
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