研究人员二维材料硅材料半导体材料电子产品应用超薄功能电路
摘要：近日，斯坦福大学的研究人员发现金属铪和锆的联硒化物二维材料HfSe2和ZrSe2具有可与硅材料相媲美甚至更优越的半导体特性，有望代替硅材料应用于未来半导体器件中。该研究已在《科学进展》杂志发表。研究人员利用新材料制造出了能耗低于硅基电路、仅3个原子厚的功能电路。虽然目前仍处在实验室研究阶段，但却是向实现可满足未来电子器件需求的更薄、更节能芯片制造的关键一步。
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