HI,欢迎来到学术之家,发表咨询:400-888-7501  订阅咨询:400-888-7502  股权代码  102064
0

基于天线优化的GaN/AlGaNHEMT太赫兹探测器

作者:孙云飞; 班建民; 陶重犇; 胡伏原; 孙建东...探测器太赫兹自混频

摘要:介绍了一种基于天线优化的GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的高灵敏度室温太赫兹探测器。在太赫兹波辐射下,太赫兹天线可以高效收集太赫兹波的能量进而提高探测器的性能指标。利用有限时域差分(FDTD)法对太赫兹天线的特征尺寸(源、漏极天线之间的间距Lw以及栅极天线的栅长Lg)进行了优化研究。研究结果表明当Lg一定时,探测器的响应度随着Lw的减小而增大,并从实验上制备出了响应度为9.45×102 V/W的室温GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器。对优化后的器件进行了1×9线阵列探测器的制备和测试,探测器的电学特性一致性较好,响应度仅有约10%的误差。

注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社

微纳电子技术

《微纳电子技术》(CN:13-1314/TN)是一本有较高学术价值的大型月刊,自创刊以来,选题新奇而不失报道广度,服务大众而不失理论高度。颇受业界和广大读者的关注和好评。 《微电子技术》被俄罗斯《AJ》收录、英国《SA》,INSPEC数据库收录、美国《剑桥科学文摘》收录《剑桥科学文摘》、剑桥科学文摘社ProQeust数据库、《物理学、电技术、计算机及控制信息数据库》、北大2014版优秀期刊、美国《ProQuest数据库》、美国《乌利希期刊指南》收录。

杂志详情