作者：李坤; 张艳; 王玲; 张婧石墨烯电子转移边缘基平面缺陷密度
摘要：石墨烯的电化学性能,特别是基于石墨烯的电子转移动力学,是石墨烯在电化学传感器、能源存储与转化等方面应用的基础。阐述了石墨烯的电子转移动力学的研究进展。特别是详细描述了石墨烯边缘、基平面以及缺陷密度等对石墨烯电极的电子转移速率的影响。目前,大部分研究表明,石墨烯的电子转移源于裸露的石墨烯边缘。但值得注意的是,石墨烯的基平面也被发现具有高的电化学活性和快速的电子转移速率。此外,石墨烯的电化学性能还与其缺陷密度密切相关。适当的缺陷密度能够提高石墨烯电子转移速率。
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