作者：宋二龙; 兰林锋; 林振国; 孙圣; 宋威; 李...薄膜晶体管氧化铟锌热压烧结靶材磁控溅射
摘要：本文研究了热压烧结条件对氧化铟锌（IZO）靶材和薄膜晶体管（TFT）性能的影响。以80％：20％（质量分数比）的ZnOg和In203的混合粉体为原料通过热压烧结法制备IZO靶材，以制备的靶材通过磁控溅射制备IZOTFT。X射线衍射（XRD）图谱以及扫描电镜（SEM）图像表明IZO靶材结晶性好，元素分布均匀。烧结温度为850℃时靶材呈现烧结致密化，900℃．60min条件下In20a的挥发破坏了靶材烧结致密化。提高烧结温度或延长烧结时间加速In向ZnO晶格的扩散以及空位向表面迁移，有利于靶材致密化以及形成InZnOx晶相。TFT器件表征结果表明低密度和过高密度靶材会恶化薄膜质量，降低器件性能，可见适当高密度的靶材对制备TFT至关重要，最终900℃-90min条件的靶材所制备的TFT性能最好，迁移率为16．25cm2．V-1．s-1。
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