作者：孟宪权 肖虎 朱振华量子点离子注入二次退火
摘要：利用离子注入法在Si（001）衬底上先后注入了Ga^＋和Sb^＋，注入能量分别为140，220keV，注入剂量分别为8．2×10^16，6．2×10^16cm^-2，然后对样品分别经过一次退火和二次退火处理制备出了量子点材料．用透射电子显微镜（TEM）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）观察了退火后量子点截面像．实验结果表明，经二次退火生长的量子点晶格结构和Si衬底损伤的修复要明显优于一次退火．
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