作者：孟宪权 何亮 肖虎量子点离子注入透射电子显微镜退火
摘要：利用离子注入法在Si（001）衬底上先后注入了In^＋和As^-,注入能量分别为210，150keV，注入剂量分别为6．2×10^16，8．6×10^16cm，然后对样品经过退火处理制备出了量子点材料（为了避免沟道效应，注入角度选择为7°）．用透射电子显微镜（TEM）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）观察了退火后量子点截面像，发现量子点的平均尺寸大小随退火温度和时间增加而增大．
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